在sps烧结时，虽然所加压力较小，但是除了压力的作用会导致活化能力q降低外，由于存在放电的作用，也会使晶粒得到活化而使q值进一步减小，从而会促进晶粒长大，因此从这方面来说，用sps烧结制备纳米材料有一定的困难。
但是实际上已有成功制备平均粒度为65nm的tin密实体的实例。在文献[38]中，非晶粉末用sps烧结制备出20～30nm的fe90zr7b3纳米磁性材料。另外，还已发现晶粒随sps烧结温度变化比较缓慢[7]，因此sps制备纳米材料的机理和对晶粒长大的影响还需要做进一步的研究。
1988年日本研制出第yi台工业型sps装置，并在新材料研究领域内推广使用。1990年以后，日本推出了可用于工业生产的sps第三代产品，具有10～100t 的烧结压力和脉冲电流5000～8000a。近又研制出压力达500t，脉冲电流为25000a的大型sps装置。由于sps技术具有快速、低温、gao效率等优点，近几年国外许多大学和科研机构都相继配备了sps烧结系统，粉末冶金厂家，并利用sps进行新材料的研究和开发[3]。1998年瑞典购进sps烧结系统，山东粉末冶金，对碳化物、氧化物、生物陶瓷等材料进行了较多的研究工作[4]。
国内近三年也开展了用sps技术制备新材料的研究工作[1，不锈钢粉末冶金，3]，粉末冶金厂，引进了数台sps烧结系统，主要用来烧结纳米材料和陶瓷材料[5～8]。sps作为一种材料制备的全新技术，已引起了---的广泛重视。
用于热电制冷的传统半导体材料不仅强度和耐久性差，而且主要采用单相生长法制备，生产周期长、成本高。近年来有些厂家为了解决这个问题，采用烧结法生产半导体致冷材料，虽---了机械强度和提高了材料使用率，但是热电性能远远达不到单晶半导体的性能，现在采用sps生产半导体致冷材料，在几分钟内就可制备出完整的半导体材料，而晶体生长却要十几个小时。
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